• Νέο
Τρανζίστορ MOSFET P-Channel IRF9530 -100V 12A...

Τρανζίστορ MOSFET P-Channel IRF9530 -100V 12A TO-220

Ολοκληρωμένα (IC)
TRIRF9530
Part.No: IRF9530
€2,95
Σε Απόθεμα
Άμεση Αποστολή

Το IRF9530 είναι τρανζίστορ ισχύος MOSFET P-Channel (-100V, -12A) σε περίβλημα TO-220AB, με RDS(on) 0.30Ω μέγ. στα VGS = -10V και ισχύ απαγωγής 88W. Χρησιμοποιείται σε high-side διακόπτες, έλεγχο κινητήρων DC, προστασία από αντίστροφη πολικότητα και κυκλώματα τροφοδοσίας.

 

Τρανζίστορ MOSFET P-Channel IRF9530 -100V 12A TO-220

Το IRF9530 είναι τρανζίστορ ισχύος MOSFET τύπου P-Channel με μέγιστη τάση Drain-Source -100V και συνεχές ρεύμα Drain -12A (στους 25°C περιβλήματος). Η αντίσταση αγωγιμότητας RDS(on) είναι 0.30Ω το πολύ στα VGS = -10V και το περίβλημα TO-220AB επιτρέπει την τοποθέτηση σε ψύκτρα. Ως P-Channel στοιχείο, διακόπτει τον θετικό πόλο του φορτίου (high-side switching) χωρίς κύκλωμα bootstrap ή charge pump.

  • Τάση Drain-Source: -100V
  • Συνεχές ρεύμα Drain: -12A στους 25°C, -8.2A στους 100°C (θερμοκρασία περιβλήματος)
  • RDS(on): 0.30Ω μέγ. (VGS = -10V, ID = -7.2A)
  • Ισχύς απαγωγής: 88W στους 25°C (περίβλημα)
  • Θερμοκρασία λειτουργίας: έως 175°C
  • Ιδιότητες: γρήγορη μεταγωγή, dynamic dV/dt rating, repetitive avalanche rated, εύκολη παραλληλία, απλή οδήγηση gate

Τυπικές Εφαρμογές

  • High-side διακόπτης σε κυκλώματα συνεχούς τάσης
  • Προστασία από αντίστροφη πολικότητα τροφοδοσίας
  • Έλεγχος κινητήρων DC και γέφυρες H, σε συνδυασμό με N-Channel MOSFET
  • Συμπληρωματικό (push-pull) ζεύγος με N-Channel MOSFET
  • Διακοπή φορτίων σε τροφοδοτικά και κυκλώματα μπαταρίας

Τεχνικά Χαρακτηριστικά

Τύπος MOSFET ισχύος P-Channel
Μέγιστη τάση Drain-Source (VDS) -100V
Μέγιστη τάση Gate-Source (VGS) ±20V
Τάση κατωφλίου VGS(th) -2.0 έως -4.0V
Συνεχές ρεύμα Drain (ID) -12A (TC = 25°C) / -8.2A (TC = 100°C)
Παλμικό ρεύμα Drain (IDM) -48A
RDS(on) (VGS = -10V, ID = -7.2A) 0.30Ω μέγ.
Ισχύς απαγωγής (PD, TC = 25°C) 88W
Συνολικό φορτίο Gate (Qg) 38nC μέγ. (VGS = -10V, ID = -12A, VDS = -80V)
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) 860pF τυπ. (VDS = -25V, f = 1MHz)
Χρόνοι μεταγωγής (τυπ.) td(on) 12ns, tr 52ns, td(off) 31ns, tf 39ns
Ενέργεια avalanche μονού παλμού (EAS) 400mJ
Θερμική αντίσταση Junction-Case (RthJC) 1.7°C/W μέγ.
Θερμική αντίσταση Junction-Ambient (RthJA) 62°C/W μέγ.
Θερμοκρασία λειτουργίας / αποθήκευσης -55°C έως +175°C
Συσκευασία TO-220AB
Pinout (όψη με τη σήμανση προς εσάς) Gate – Drain – Source (το μεταλλικό πτερύγιο είναι συνδεδεμένο στο Drain)

Συχνές Ερωτήσεις

Μπορώ να οδηγήσω το IRF9530 απευθείας από έξοδο 3.3V ή 5V;
Όχι. Το IRF9530 δεν είναι logic-level: η τάση κατωφλίου VGS(th) είναι -2.0 έως -4.0V και η RDS(on) των 0.30Ω ορίζεται για VGS = -10V. Επειδή είναι P-Channel, το gate πρέπει να τραβιέται περίπου 10V χαμηλότερα από το source, οπότε σε εφαρμογές high-side με μικροελεγκτή χρειάζεται βαθμίδα μετατόπισης στάθμης (level shifter), π.χ. ένα μικρό N-Channel MOSFET ή τρανζίστορ. Η τάση VGS δεν πρέπει να ξεπερνά τα ±20V.

Χρειάζεται ψύκτρα;
Στα περισσότερα φορτία ναι. Χωρίς ψύκτρα η θερμική αντίσταση Junction-Ambient είναι 62°C/W, ενώ η Junction-Case είναι 1.7°C/W. Για παράδειγμα, στα 5A η απώλεια αγωγιμότητας φτάνει περίπου τα 7.5W (5² × 0.30Ω) και η RDS(on) αυξάνεται όσο ζεσταίνεται το εξάρτημα.

Είναι το IRF9530 ίδιο με το IRF9530N;
Όχι. Έχουν το ίδιο περίβλημα TO-220, αλλά διαφορετικά ηλεκτρικά χαρακτηριστικά, π.χ. μέγιστη RDS(on) 0.30Ω στο IRF9530 έναντι 0.20Ω στο IRF9530N. Πριν αντικαταστήσεις το ένα με το άλλο, έλεγξε τα datasheets.

Συμβουλή: Βάλε αντίσταση (π.χ. 10kΩ) μεταξύ gate και source, ώστε το MOSFET να παραμένει σβηστό όταν ο οδηγός δεν ελέγχει το gate.
Τύπος Τρανζίστορ
MOSFET (Metal–oxide–semiconductor FET)
Πολικότητα Τρανζίστορ / Τύπος Καναλιού
P-Channel
Στυλ θήκης τρανζίστορ
TO-220
16 ακόμα προϊόντα στην ίδια κατηγορία:
Το προϊόν προστέθηκε στην wishlist
Το προϊόν προστέθηκε στη λίστα σύγκρισης